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“手艺促进+使用驱动”功率半导体迎来新一轮成

作者:admin 发布时间:2019-04-10 03:29

  次要用处包罗逆变、变频等。受惠于5G及电动车需求的显著增加,我们对功率半导体的市场成长持乐观见地。本文重点会商IGBT/三代化合物半导体功率器件在手艺推进和使用驱动下迎来新一轮成长机缘。

  IGBT约占新能源汽车电力驱动系统及车载充电系统成本的40%,折合到整车上约占总成本的7~10%,它的机能决定了整车的能源操纵率。IGBT多使用于高压范畴,MOSFET次要使用在高频范畴。

  SiC器件相对于Si器件的劣势之处在于,新疆时时彩投注网站降低能量损耗、更易实现小型化和更耐高温。SiC适合高压范畴,GaN更合用于低压及高频范畴。新能源汽车电机

  5G对于更高数据传输速度的要求鞭策了基站摆设的PA转换为GaN。别的,在5G的环节手艺MassiveMIMO中,大量的阵列天线需要响应的射频收发单位,所以射频器件的利用数量将较着添加。

  我们认为IGBT的增量空间庞大。SiC市场可能呈现求过于供的环境。扩大功率半导体产能的动力之一来历于新能源汽车。

  按照英飞凌的统计,一辆保守燃料汽车的电机驱动系统中功率半导体的价值为17美元,而一辆纯电动汽车中价值为265美元,添加了近15倍。新能源汽车为功率半导体带来了极大的增加潜力。电力根本设备的升级和便携式挪动设备对高能效电池的需求也鞭策了功率半导体市场的增加。



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